FQP5N60C Discrete Semiconductor (Mr_Li) | Обустройство дома



Сохраните в закладки:

Цена:RUB
*Стоимость могла изменится

Количество:


Новое поступление

Характеристики

FQP5N60C Discrete Semiconductor (Mr_Li) | Обустройство дома

История изменения цены

*Текущая стоимость уже могла изменится. Что бы узнать актуальную цену и проверить наличие товара, нажмите "Добавить в корзину"

Месяц Минимальная цена Макс. стоимость Цена
Mar-18-2026 0.86 руб. 0.3 руб. 0 руб.
Feb-18-2026 0.6 руб. 0.34 руб. 0 руб.
Jan-18-2026 0.95 руб. 0.50 руб. 0 руб.
Dec-18-2025 0.52 руб. 0.1 руб. 0 руб.
Nov-18-2025 0.90 руб. 0.17 руб. 0 руб.
Oct-18-2025 0.0 руб. 0.41 руб. 0 руб.
Sep-18-2025 0.31 руб. 0.13 руб. 0 руб.
Aug-18-2025 0.13 руб. 0.81 руб. 0 руб.
Jul-18-2025 0.6 руб. 0.48 руб. 0 руб.

Описание товара

FQP5N60C Discrete Semiconductor (Mr_Li) | Обустройство домаFQP5N60C Discrete Semiconductor (Mr_Li) | Обустройство дома


Data List FQP5N60C, FQPF5N60C
Product Photos TO-220-3
Product Training Modules High Voltage Switches for Power Processing
PCN design / specification Passivation Material 26 / June / 2007
Standard Package 50
Category Discrete Semiconductor Products
Family FET - Single
Series QFET?
Package Fittings
FET type MOSFET N -Channel, Metal Oxide
FET function Standard
Drain-source voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) (25 ° C time ) 4.5A (Tc)
Different ? Id,? Rds On Vgs time (maximum ) 2.5 Ohm @ 2.25A, 10V
Different Vgs (th) ( maximum ) Id when 4V @ 250? A
Vgs when different gate charge (Qg) 19nC @ 10V
Vds when different input capacitance (Ciss) 670pF @ 25V
Power - maximum 100W
Mounting Type Vias
Package / Case TO-220-3
Supplier Device Package TO-220


Смотрите так же другие товары: